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| 圖片 | 型號 | 價格 | 數量 | 庫存 | 製造商 | 描述 | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | 2400 W | Dual | 1200 V | 2.15 V | 520 A | 400 nA |
